Keithley 4210-SMU 精密源測(cè)量單元 (Source Measure Unit) 詳解

1. 產(chǎn)品概述

Keithley 4210-SMU 是 吉時(shí)利（Keithley） 推出的一款 半導(dǎo)體測(cè)試的精密源測(cè)量連接器（Source Measure Unit, SMU），專(zhuān)為 半導(dǎo)體器件測(cè)試、材料特性分析、納米技術(shù)研究 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。作為 4200-SCS 半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng) 的關(guān)鍵組件，4210-SMU 能夠 同時(shí)提供精確的電壓/電流激勵(lì)并測(cè)量微弱的響應(yīng)信號(hào)，適用于 晶體管、二極管、存儲(chǔ)器、MEMS 等器件的電學(xué)性能測(cè)試。

2. 核心功能與特點(diǎn)

（1）四象限工作模式

• 可同時(shí)作為電壓源、電流源、電壓表、電流表，支持 源（Source）與測(cè)量（Measure）同步操作。

• 四象限輸出：

• 第1象限：正電壓 + 正電流（如正向偏置測(cè)試）

• 第2象限：正電壓 + 負(fù)電流（如太陽(yáng)能電池測(cè)試）

• 第3象限：負(fù)電壓 + 負(fù)電流（如反向偏置測(cè)試）

• 第4象限：負(fù)電壓 + 正電流（如特殊器件特性分析）

（2）高精度與寬動(dòng)態(tài)范圍

• 電壓范圍：±200V（最高可達(dá)±210V）

• 電流范圍：±100mA（可測(cè)10f電流）

• 分辨率：

• 電壓：1μV

• 電流：10fA

• 精度：

• 電壓：±0.015% of reading

• 電流：±0.03% of reading

（3）脈沖模式與高速測(cè)量

• 支持 脈沖式輸出（最短脈沖寬度100μs），避免器件因長(zhǎng)時(shí)間通電發(fā)熱而影響測(cè)試結(jié)果。

• 高速采樣：最高可達(dá)10k samples/s（14-bit ADC），適合 瞬態(tài)特性分析。

（4）低噪聲設(shè)計(jì)

• 采用 低噪聲電路架構(gòu)，特別適合 納米器件、低維材料（如石墨烯）、光電探測(cè)器 等微弱信號(hào)測(cè)量。

• Guard端子：減少漏電流干擾，確保高阻測(cè)量準(zhǔn)確性。

（5）系統(tǒng)集成與自動(dòng)化

• 兼容4200-SCS系統(tǒng)：可與其他SMU模塊（如4200-PA前置放大器）協(xié)同工作。

• 支持SCPI命令：通過(guò)GPIB、LAN、USB接口遠(yuǎn)程控制。

• 軟件支持：

• Keithley Interactive Test Tool (KITT)：圖形化測(cè)試界面。

• LabVIEW驅(qū)動(dòng)：便于自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)。

3. 典型應(yīng)用場(chǎng)景

（1）半導(dǎo)體器件測(cè)試

• 晶體管特性分析：Id-Vd、Id-Vg曲線測(cè)量（MOSFET、HEMT等）。

• 二極管參數(shù)測(cè)試：擊穿電壓（BV）、反向漏電流（Ir）。

• 存儲(chǔ)器測(cè)試：RRAM、PCRAM的阻變特性。

（2）新材料研究

• 低維材料電學(xué)性能：石墨烯、碳納米管的載流子遷移率。

• 光電探測(cè)器：響應(yīng)度、暗電流測(cè)量。

（3）失效分析與可靠性測(cè)試

• TDDB（時(shí)間依賴介電擊穿）：監(jiān)測(cè)介質(zhì)層失效過(guò)程。

• HCI（熱載流子注入）：評(píng)估器件壽命。

（4）MEMS與傳感器測(cè)試

• 壓電器件、熱電偶的IV特性分析。

4. 技術(shù)規(guī)格

5. 與其他SMU的對(duì)比

6. 總結(jié)

Keithley 4210-SMU 是一款 面向科研與半導(dǎo)體測(cè)試的精密源測(cè)量連接器，其 高精度、低噪聲、四象限操作 特性使其成為 納米器件、新型半導(dǎo)體材料研究 的理想工具。通過(guò)與4200-SCS系統(tǒng)配合，用戶可以實(shí)現(xiàn) 從DC到脈沖測(cè)試的全套電學(xué)表征方案。

如需更詳細(xì)的技術(shù)資料或應(yīng)用案例，建議訪問(wèn) Keysight Technologies（是德科技） 或聯(lián)系當(dāng)?shù)丶夹g(shù)支持。